在雙(shuāng)向(xiàng)直流電源(yuán)突發模式下,功率管(guǎn)損耗主要包括導通損耗、開(kāi)關(guān)損耗(開通損耗和關斷損耗)、死區時間損耗、驅(qū)動損(sǔn)耗等(děng),以下是具體計算方法及分析:
導通損耗是指功率管在(zài)導通狀態下,由於導通電阻而產(chǎn)生的功率損耗。在雙向直流電源中,功率管(如IGBT或MOSFET)在導通時,其漏源電流(IDS(on))會在導通電阻(RDS(on))上產(chǎn)生壓降,從而產生導通損耗。導通損耗的計算公式為:
公式:
參數(shù)說明:
計算要點:
開關損耗包括開通損耗(hào)和關斷損耗,是由於功率管(guǎn)在開關過程中,電壓和(hé)電流的交疊而產生的損耗。
開通(tōng)損耗:
關斷損耗:
計算要點:
死區時間損耗是指在死區時間內(nèi),由於低(dī)邊開關(MOSFET)體二極管的(de)正向電壓和負載電流而產生的損耗。在同步整(zhěng)流(liú)式DC/DC轉換器中,為了避免直通電流(liú),會設置一(yī)段(duàn)死區時間,在這段時(shí)間內兩邊(biān)的開關都是OFF的。然而,實際的開關(guān)是MOSFET,其中存在被稱為“體二(èr)極(jí)管”的寄生(shēng)二(èr)極管。在死區時間內(nèi),低(dī)邊(biān)MOSFET的體二極管相對於負載電流是正向的,電流通過這個體二極管流向負載,從而產生損耗。
計算公式:(具體公式可能因電路架構和(hé)器(qì)件參數而異)
參數說明:
計算要點:
驅動損(sǔn)耗是指柵極接受驅動電源進行驅動時產生的損耗。在雙向直流電源中,功率管的柵(shān)極需要接受驅動電源提供(gòng)的電壓和電流來控製其開關狀態。驅(qū)動損耗的計算公式為:
公式(shì):
參數說明:
計算要點: